介質(zhì)損耗測(cè)試儀用于現(xiàn)場(chǎng)抗干擾介損測(cè)量，或試驗(yàn)室介損測(cè)量。儀器為一體化結(jié)構(gòu)，內(nèi)置介損電橋、變頻電源、試驗(yàn)變壓器和標(biāo)準(zhǔn)電容器等。采用變頻抗干擾和傅立葉變換數(shù)字濾波技術(shù)，全自動(dòng)智能化測(cè)量，強(qiáng)干擾下測(cè)量數(shù)據(jù)非常穩(wěn)定。測(cè)量結(jié)果由大屏幕液晶顯示，自帶微型打印機(jī)可打印輸出。 介電損耗（tgδ）：指電介質(zhì)材料在外電場(chǎng)作用下發(fā)熱而損耗的那部分能量。在直流電場(chǎng)作用下，介質(zhì)沒有周期性損耗，基本上是穩(wěn)態(tài)電流造成的損耗在交流電場(chǎng)作用下，介質(zhì)損耗除了穩(wěn)態(tài)電流損耗外，還有各種交流損耗。由于電場(chǎng)的頻繁轉(zhuǎn)向，電介質(zhì)中的損耗要比直流電場(chǎng)作用時(shí)大許多（有時(shí)達(dá)到幾千倍），因此介質(zhì)損耗通常是指交流損耗。 在工程中，常將介電損耗用介質(zhì)損耗角正切tgδ來表示。tgδ是絕緣體的無效消耗的能量對(duì)有效輸入的比例，它表示材料在一周期內(nèi)熱功率損耗與貯存之比，是衠量材料損耗程度的物理量。 介電特性是電介質(zhì)材料重要的性質(zhì)。在實(shí)際應(yīng)用中，電介質(zhì)材料的介電系數(shù)和介質(zhì)損耗是非常重要的參數(shù)。例如，制造電容器的材料要求介電系數(shù)盡量大，而介質(zhì)損耗盡量小。相反地，制造儀表絕緣器件的材料則要求介電系數(shù)和介質(zhì)損耗都盡量小。而在某些特殊情況下，則要求材料的介質(zhì)損耗較大。所以，通過測(cè)定介電常數(shù)（ε）及介質(zhì)損耗角正切（tgδ），可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)。 |
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